1 ТБ памяти в смартфоне: в Samsung начат выпуск новейших модулей eUFS

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых модулей флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 вместимостью 1 Тбайт.

Изделие рассчитано на применение в мобильных устройствах следующего поколения. Речь идёт о смартфонах и фаблетах, владельцы которых, как отмечается, смогут получить накопитель, сравнимый по ёмкости с SSD в ноутбуках премиум-класса. Анонсированный модуль eUFS 2.1 имеет размеры 11,5 × 13,0 мм. Он выполнен с применением флеш-памяти V-NAND и новейшего проприетарного контроллера, обеспечивающего высокие показатели быстродействия.

В частности, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 1000 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 260 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 58 тыс. при произвольном чтении данных и до 50 тыс. при произвольной записи. Таким образом, терабайтный модуль eUFS 2.1 сможет полностью удовлетворить потребности будущих смартфонов в высокоскоростном хранилище информации. Утверждается, что решение обеспечивает примерно в два раза более высокую скорость чтения данных по сравнению с обычными SSD-накопителями в формате 2,5 дюйма с интерфейсом SATA.

По всей видимости, изделие будет предлагаться в качестве опции для некоторых модификаций флагманских аппаратов Galaxy S10, анонс которых состоится в ближайшие недели.