АРХИВ СТАТЕЙ ЖУРНАЛА «МОЙ КОМПЬЮТЕР» ЗА 2003 ГОД

Памятные надписи

• Все журналы \ Номер 49/272 `2003 от 09.12.2003 \ Памятные надписи

Владимир СИРОТА vovsir@yandex.ru

Продолжение, начало см. в МК, №37 (260), 38 (261), 41 (264).

Infineon’икация

Итак, как и было обещано, приступаем к прочтению надписей на модулях памяти компании Infineon.

К достоинствам маркировки модулей этого производителя можно отнести то, что планки, соответствующие стандартам для DDR и DDR 2 модулей, имеют единую систему обозначений. Вообще, ассортимент DDR-модулей Infineon включает 184-контактные планки DDR-памяти (это по большому счету и более всего интересующие нас модули DIMM для массовых ПК), 200-контактные DDR и DDR 2 модули, а также 240-контактные модули DDR 2. Если вам посчастливится повстречать хотя бы один из таких продуктов, то на нем вы почти наверняка обнаружите надпись :-), расшифровать которую с ходу довольно затруднительно даже тем, что считает себя крупным специалистом в области информационных технологий. А поскольку мы с вами — люди скромные, и не относим себя к «столпам» информационных технологий, то нам для прочтения данной маркировки понадобятся некоторые знания, которые и можно будет почерпнуть из нижеприведенного текста.

Итак, модули памяти Infineon имеют маркировку, приведенную на рисунке 1. Ну что ж, как обычно, отправляемся в путешествие «по пунктам». Если перед вами точно находится модуль, выпущенный самой компанией Infineon, то первые три символа его маркировки [1-2-3] обязательно будут представлять собой слово из трех букв :-) —HYS. Это верный признак того, что модуль принадлежит к Infineon’овскому семейству.

Символы [4-5] в маркировке указывают на ширину внешней шины данных модуля (Data Width). Соответственно, 64 означает 64-битную шину (т.е. данный модуль без коррекции ошибок), а 72 в этом месте указывает на наличие у изделия внешней шины данных с 9-байтным интерфейсом, необходимым для работы кода коррекции ошибок (ЕСС).

На позиции [6] находится символ, с помощью которого можно определить, на какое напряжение питания рассчитан данный модуль. Вариантов здесь возможно три. Буква V обозначает 3.3 В напряжение питания. И хотя в официальной информации указывается на вероятность наличия такого символа на модуле, вряд ли вы его там встретите. Дело в том, что такое питание используется в модулях SDR SDRAM (скорее всего, производитель просто перестраховался, введя данное обозначение в перечень возможных). Более вероятно, что на DDR-модулях Infineon на указанной порядковой позиции вы встретите буквы D или Т. Первая информирует о 2.5-вольтовом питание (типичные DDR-модули), а вторая — о 1.8 В (последнее уже характерно для DDR 2).

На позициях [7-8] находится цифра, официальная интерпретация которой —Memory Density per DQ. Что я в своем вольном толковании переведу как плотность «набивки» отдельных микросхем модуля ячейками памяти. Ну так вот, 16 означает, что в каждую микросхему напихали столько ячеек, что на них можно уместить 16 Мбит (2 Мб) информации. 32 — это уже свидетельство применения 32 Мбитных микросхем. Ну и далее по порядку —64, 128 и 256 означают соответственно использование микросхем с «запоминающей» информационной емкостью в 64, 128 и 256 мегабит.

На [9]-й позиции находится цифра, которая носит гордое имя Designator. То есть некий «определитель», конкретное назначение которого определяется, как сказано в официальных «бумагах», исходя из некоего секретного описания —Data Sheet defined. К сожалению, ничего более определенного по поводу этого пункта я добавить не могу , кроме того что в этом месте для обозначения используется какая-то цифра.

Зато относительно символа на позиции [10] можно поговорить уже чисто конкретно. В этом месте указывается количество имеющихся банков памяти модуля в целом (Number of Memory Banks). Надеюсь, вы еще не забыли, что и каждая отдельная микросхема обладает банками памяти. Но рассматриваемое нами обозначение (в отличие от часто используемых у остальных производителей) указывает именно на количество «внешних» банков ОЗУ для модуля в целом (подробнее см. третью часть этой статьи в МК, №41 (264)). Ну так вот, 0 на десятой позиции говорит… нет, вовсе не об отсутствии банков памяти у модуля, как могли подумать некоторые слишком логично мыслящие читатели :-). «Нолик» как раз свидетельствует о том, что модуль однобанковый. А ежели в этом месте стоит 2 — то, соответственно, перед нами двухбанковый модуль.

Ё! На [11]-м порядковом месте снова обнаруживается некий Designator (цифра), но определяемый уже не неизвестным Data Sheet’ом, а обозначающий позицию Product Variations, т.е., я так понимаю, указывающий на некий вариант (ревизию) данного продукта. Опять же, никакой уточняющей информации по данному пункту у меня нет.

Вам надоели непонятные цифири? Тогда переходим к приятной [12]-й позиции в «списке» маркировки, где мы можем повстречать уже букву, причем, к счастью, понятную. И главное — приближающую нас к понимаю экологических проблем :-). G в этом месте будет обозначать, что перед нами модуль, содержащий свинец (он используется при пайке модулей), —Lead-Containing. Если вам кажется, что свинцовые модули слишком тяжелы для вашего нежного ПК, то можете поискать планочку, где на данной позиции разместится буковка Н. Она указывает, что изделие Lead-Free, то есть при его изготовлении использовались материалы, не содержащие свинца. И наконец, если вы принадлежите к партии «зеленых», и ваши требования к экологичности продуктов приближаются к рамкам разумного :-), то вам стоит поискать модуль памяти, промаркированный символом Е, — этот не только без свинца, но и без галогенов (о них, чудных, смотрите во второй части этой статьи, МК №38 (261)) —Lead- & Halogen-Free.

Классификация видов

«Счастливое» место № [13] отведено информации о семействе (точнее, о видовой разновидности :-) — прямо почти по Дарвину) рассматриваемого нами модуля —Module Family. Ну что ж, благодаря данной порядковой позиции, вы можете узнать, что ваш модуль принадлежит к семейке:

U (Unbuffered DIMM TSOP based for DDR/FBGA based for DDR2) — небуферизированных модулей DIMM с использованием микросхем в TSOP-упаковке для DDR-памяти и FBGA-упаковке для модулей DDR2;

R (Registered DIMM TSOP based for DDR/FBGA based for DDR2) — регистровых (буферизированных) модулей с вышеупомянутым типом упаковки микросхем;

D (SO-DIMM TSOP based for DDR/FBGA based for DDR2) — модулей для ноутбуков (SO-DIMM) с использованием все тех же :-) микросхем;

BD (SO-DIMM FBGA based) — ноутбучных модулей с микросхемами в FBGA-упаковке;

BR (Registered DIMM FBGA based) — регистровых модулей с чипами в FBGA-конструктиве.

Модулям памяти тоже нужно хорошо питаться. Пункт [14] по нашему маркировочному списку как раз и характеризует параметры питания модуля. Ежели здесь стоит буковка L — то мы смотрим на малопотребляющий (Low-Power, наверняка, ноутбучный, т.е. привыкший «голодать» во время мобильных странствований) модуль памяти. А вот ежели на этой позиции никакой буквы нет вообще, то модуль нормальный (Standard-Power), то есть рассчитанный на стандартное энергопотребление.

Официальное название [15]-й позиции звучит просто завораживающе для любого компьютерщика —Speed (скорость). Да, это весьма интересующий нас пунктик. И здесь модули памяти Infineon могут порадовать нас следующими обозначениями:

8 — характеристика, присущая модулям DDR200 (PC1600) с таймингами (CL-tRCD-tRP) = (2-2-2). (От себя хотелось бы добавить, что цифра 8 характеризует время доступа установленных на таком модуле микросхем в наносекундах, т.е. 8 нс (модуль рассчитан на частоту (1/8) х 1000 = 125 МГц (DDR 250 МГц)), хотя открыто об этом в используемых мной материалах от Infineon не говорится.);

7.5 — признак модуля PC2100 (DDR266B) с таймингами 2.5-3-3;

7 — используется для модулей PC2100 («подвида» DDR266A) с таймингами 2-3-3;

7F — указывает на PC2100 DIMM (DDR266) с самыми «продвинутыми» для DDR 266 модулей Infineon таймингами 2-2-2;

6 — верный признак модуля PC2700 (DDR333) с характеристиками задержек 2.5-3-3;

5 — может встречаться как в модулях PC3200 (DDR400), так и в варианте с DDR2-400 (PC2-3200), причем в обоих случаях тайминги совершенно одинаковы — (CL-tRCD-tRP)=(3-3-3);

3.7 — это признак навороченного PC2-4300 (DDR2-533 МГц) модуля памяти с характеристиками рабочих задержек 4-4-4;

3 — на сегодня самый hi-end из невостребованных пока массовыми ПК модулей памяти DDR 2, говорит о DDR2-667 МГц (PC2-5300) модуле с таймингами 4-4-4.

И наконец, последняя [16]-я позиция в нашей, точнее, Infineon’овской маркировке. Официально она «обзывается» Part Number Extension (ну, типа дополнительная часть в маркировке) и содержит информацию касательно Component Die Revision Indicator (типа о ревизии/поколении примененных компонент (микросхем)). К сожалению, это все, что я могу сказать по данному поводу .

Задел на будущее

Ну все, с теорией разобрались. На этом бы месте самое время перейти к практике, как это мы делали в предыдущих статьях, но… Единственный из четырех крупнейших мировых производителей чипов памяти практически не представлен на украинском рынке своими оригинальными модулями . Конечно, на рынке встречаются модули DIMM сторонних производителей, использующие микросхемы Infineon (например, модуль DDR 333 Apacer —рисунок 2, 3), но маркировка этих изделий даже отдаленно не походит на оригинальную Infineon’овскую. Поэтому в данной части статьи, увы, придется обойтись без практически-прикладного раздела по «опознаванию» модуля. Впрочем, если вы как-нибудь выберетесь на поиски памяти в Европу :-), то данный материал наверняка поможет в выборе модуля от единственного европейского из четырех крупнейших производителей «памятной» продукции. Надеюсь, знания, накопленные по ходу чтения предыдущих статей, позволят вам без труда разобраться и в характеристиках конкретного модуля Infineon, замеченного на просторах ЕС.

Этой статьей мы заканчиваем обзор маркировок модулей памяти четырех самых крупных мировых производителей чипов SDRAM. Мы еще поговорим о модулях памяти Kingston, но в контексте того, как развивают свое производство изготовители модулей DIMM, не занимающиеся непосредственно выпуском микросхем ОЗУ. Но это будет позже.

А в ближайшем номере ждите более актуальный материал, посвященный изучению скоростных возможностей наиболее распространенных в Украине модулей DDR-памяти от Samsung, Hynix, PQI, NCP, Kingston. Кто быстрее? Разгон, предельные частоты и тайминги для модулей DIMM разных производителей. Как влияет на разгон памяти повышение напряжения питания? Есть ли смысл переплачивать за всевозможные «официально» оверклокерские модули DDR 433, DDR 450 или DDR 500? Ответы на эти и другие вопросы — в следующем номере МК!

(Окончание следует)

Идёт загрузка...

Данную страницу никто не комментировал. Вы можете стать первым.

Ваше имя:
Ваша почта:
Комментарий:
Введите символы или вычислите пример: * Обновить